IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，是绝缘栅双极型晶体管的英文缩写，作为一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，IGBT是电机控制器的核心。英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门，于1999年独立，2000年上市。早在1993年，西门子就推出了第一代的IGBT的系列产品。2007年，英飞凌正式推出了汽车级的IGBT，至今已有10年的历史。
英飞凌作为半导体元器件的核心供应商，针对不同企业提供差异化的产品，在扩大现有产品产能的同时也在加速碳化硅(SiC)产品的研发。
“经验的积累和对行业的了解，对于核心的元器件来说是非常非常重要的。”徐辉认为，“其实IGBT的技术各大企业都可以研究出来，但是实际上IGBT的关键是一个经验的积累，这一点英飞凌有自己独特的优势。”
针对整个汽车产业链，英飞凌提供三类可以供客户来选择的产品：裸片（圆晶，是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片）、分离式器件和模块。徐辉认为，客户可以根据自己的需自由选择所需要产品，模块化产品集成度很高，对系统的要求相对就低一些，对企业来说固然是最好的选择。当然企业也可以自己做封装，选择分离式产品。
中国中车集团专家郭淑英介绍，国产车辆主要与国产电控系统相配套，但关键核心部件仍有赖于进口。不过，随着技术的发展，已经有部分企业开始自己研发电机控制器。精金电动CTO蔡蔚表示，比亚迪在量产车型宋上就应用了自己研发的IGBT模块，成本能控制在2000～3000元。
国内对于半导体功率器件重视程度还如欧美国家，目前国内新能源整车企业都采用英飞凌半导体器件，比亚迪也是由英飞凌提供晶圆，自己来制作IGBT模块。
近些年，英飞凌一直在布局新能源汽车。在德国的Dresden（德累斯顿）和马来西亚Kulim（吉打州），英飞凌都已建设工厂来量产圆晶，来满足日益火爆的汽车市场。
作为新兴工艺，碳化硅的绝缘破坏电场强度是传统硅器件的9倍多，因此使用碳化硅工艺生产的功率器件导通电阻更低，芯片尺寸更小。此外相比普通硅功率器件，碳化硅器件的工作频率更高，也能够耐受更高的环境温度。因此在高压功率市场，碳化硅器件简直是IGBT的完美替代者。
但是，碳化硅器件的价格是原有硅器件的3倍。高昂价格自然阻碍了碳化硅功率器件的应用推广，用户只有在对性能与可靠性要求极为严苛时，才会考虑使用碳化硅产品。英飞凌也在逐步加速对碳化硅产品的研发，推进新型产品的大规模应用。
